IGBT以發(fā)射極電壓為基準電位驅動。開關動作時,上橋臂IGBT的發(fā)射極電位VE在0伏和母線電壓V+之間變化。在AC200V電路中,要開通上橋臂IGBT時,需要對門極施加300V加15V,合計315V的母線電壓。因此,需要不受開關噪聲干擾影響的上橋臂驅動電路。
	
	
	上橋臂驅動可以使用了光耦合器和高壓驅動集成電路。
	使用光耦合器的上橋臂驅動:在大容量電路中,使用光耦合器進行絕緣,此外還添加離散緩沖器的輸出端。在中容量以下的電路中,使用將上述功能集成為一體的混合集成電路。圖示為后者的例子。
	
	
		● 使用去除高共模電壓的類型
	
		● 為了盡量縮短空載時間以減少損耗,使用傳遞延遲時間tPLH和tPHL小的類型。tPLH和tPHL是相對于輸入信號,輸出從L變?yōu)镠、或從H變?yōu)長的延遲時間差。
	
		● 主要的供應廠商是東芝、Agilent Technologies、夏普、NEC等
	
		● 根據(jù)Agilent Technologies的資料,AC200V系列(使用600V的IGBT)到30kW為止,AC400V系列(使用1200V的IGBT)到15kW為止備有集成電路型光耦合器。(超過此容量時請使用光耦合器附加緩沖器的驅動)
		使用驅動集成電路的上橋臂的驅動:
		
		
			驅動集成電路中有
		
			上橋臂用
		
			半橋路用
		
			上、下橋臂用
		
			3相橋路用
		
			等產(chǎn)品。大多數(shù)是600V耐壓產(chǎn)品,也有1200V耐壓產(chǎn)品。
			
				● 自舉二極管應該使用高速類型,耐壓應該與IGBT相同。
			
				● 自舉電容器應該使用高頻特性良好的類型,或如薄膜電容器和陶瓷電容器進行并聯(lián)連接。
			
				● 盡量降低電源(Vcc)的電阻抗。
				
					光耦合器和驅動集成電路的比較:
				
					兩者的一般特點如下。
					
						光耦合器                                       驅動集成電路
					
						應用技巧                        比較容易                                       比較困難
					
						構成                                混合                                               單片
					
						AC400V電路                                                                        難度大
					
						消耗電流范例                10mA                                            2mA以下
					
						空載時間范例                 2μs以上                                       可在1μs以下
					
						裝配面積                        大                                                   小
					
						保護功能                        有內置類型                                   有內置、與電流傳感集成電路
					
						                                                                                               連動的類型
					
						關于設備容量                                                                       尤其對3相2.2-
					
						                                                                                               3.7KW的變頻器有利
					
						性能的提高                   驅動能力提高、內置保護功能、抗噪聲干擾性提高、特性不均衡的減少、與電流傳感集成電路連動等