熱銷產(chǎn)品
FF200R12KS4英飛凌IGBT模塊
產(chǎn)品作用和性能：
英飛凌FF200R12KS4 是英飛凌公司專門針對(duì)高頻應(yīng)用領(lǐng)域而開發(fā)發(fā)行的62mmC-Series模塊，在變頻器中的應(yīng)用實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)的高效率和小型化，其開關(guān)頻率在20~50kHz的應(yīng)用場(chǎng)合能發(fā)揮最大優(yōu)良特性 。而在典型情況下， IGBT模塊的優(yōu)化，所針對(duì)的載波頻率卻是10kHz或更低。通常，在IGBT/FWD芯片的通態(tài)壓降和開關(guān)損耗之間有一個(gè)折衷關(guān)系。高速模塊在進(jìn)行性能折衷時(shí)，是讓通態(tài)電壓偏大，以換取偏低的開關(guān)功耗，從而能在高頻應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)最低的總功耗。其在醫(yī)療應(yīng)用、電機(jī)傳動(dòng)、諧振逆變器應(yīng)用、伺服驅(qū)動(dòng)器、UPS系統(tǒng)作為高頻開關(guān)使用。
英飛凌IGBT模塊FF200R12KS4
上海菱端電子科技有限公司www.fgty.cn常備FF200R12KS4大量現(xiàn)貨，價(jià)格從優(yōu)，歡迎聯(lián)系采購(gòu)及技術(shù)支持。
英飛凌FF200R12KS4機(jī)械特性 ：
英飛凌FF200R12KS4機(jī)械特性 ：
• 封裝的CTI>400
• 高爬電距離和電氣間隙
• 絕緣的基板
• 銅基板
• 標(biāo)封裝
英飛凌FF200R12KS4 基本參數(shù):IGBT模塊,1200V/200A DUAL
英飛凌FF200R12KS4 基本參數(shù):IGBT模塊,1200V/200A DUAL
英飛凌FF200R12KS4 外形封裝尺寸和結(jié)構(gòu)圖
英飛凌FF200R12KS4 產(chǎn)品參數(shù)：
產(chǎn)品種類： IGBT 模塊
產(chǎn)品： IGBT Silicon Modules
品牌和型號(hào) 英飛凌FF200R12KS4
配置： Dual
集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO： 1200 V
集電極—射極飽和電壓： 3.2 V
在25 C的連續(xù)集電極電流： 275 A
柵極—射極漏泄電流： 400 nA
功率耗散： 1.4 kW
最大工作溫度： + 125 C
封裝 / 箱體： 62 mm
商標(biāo)： Infineon Technologies
柵極/發(fā)射極最大電壓： +/- 20 V
最小工作溫度： - 40 C
安裝風(fēng)格： Screw
產(chǎn)品價(jià)格和中英文資料 聯(lián)系我們咨詢和索取
每盒數(shù)量： 10
英飛凌FF200R12KS4 等效電路
英飛凌FF200R12KS4 IGBT模塊受損原因分析
IGBT的安全可靠與否主要由以下因素決定：
--IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓;
--IGBT集電極與發(fā)射極之間的電壓;
--流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流;
--IGBT的結(jié)溫。
如果IGBT柵極與發(fā)射極之間的電壓，即驅(qū)動(dòng)電壓過低，則IGBT不能穩(wěn)定正常地工作，如果過高超過柵極-發(fā)射極之間的耐壓則IGBT可能永久性損壞;同樣，如果加在IGBT集電極與發(fā)射極允許的電壓超過集電極-發(fā)射極之間的耐壓，流過IGBT集電極-發(fā)射極的電流超過集電極-發(fā)射極允許的最大電流，IGBT的結(jié)溫超過其結(jié)溫的允許值，IGBT都可能會(huì)永久性損壞。
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